RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
52
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
52
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
7.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
2169
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link