RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
44
Por volta de -26% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
35
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
7.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
2200
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link