RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
68
Por volta de -183% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
1,670.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,554.9
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,670.7
16.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
4032
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link