RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparar
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2365
2336
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link