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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
63
Por volta de -215% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
13.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3287
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
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Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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