RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
63
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3254
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link