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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
63
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
10.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2055
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
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