RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Comparar
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
41
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2028
2191
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link