RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
87
Por volta de -93% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
45
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
14.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3027
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link