RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
87
Por volta de -200% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
12.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2635
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link