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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
53
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
45
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
12.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2925
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparações de RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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