RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
16.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
3748
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link