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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de 34% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
2055
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
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G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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