RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
96
Por volta de -300% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2353
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link