RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
96
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
46
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2961
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Relatar um erro
×
Bug description
Source link