RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
44
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
3857
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link