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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2051
3692
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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