RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
94
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
39
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
12.8
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2089
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link