RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
94
Около -292% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
24
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2484
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link