RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
94
Около -236% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
28
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2892
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link