RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
94
Около -185% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
33
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3341
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link