RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Super Talent F21UB8GS 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Super Talent F21UB8GS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Super Talent F21UB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
94
Около -327% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.2
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
22
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2200
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link