RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3029
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link