RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
45
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
6.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
1499
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link