RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.1
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2202
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link