RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
3360
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link