RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.1
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
3649
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link