RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
56
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
3257
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link