A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.7

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 56

Около -65% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.7 1,925.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 34
Скорость чтения, Гб/сек

4,315.2 15.7
Скорость записи, Гб/сек

1,925.7 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

658 3153

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM

AMD R7416G2133U2S 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

модули RAM