RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
56
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2704
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link