A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Средняя оценка

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 11.1

Среднее значение в тестах

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 56

Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.0 1,925.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 27
Скорость чтения, Гб/сек

4,315.2 11.1
Скорость записи, Гб/сек

1,925.7 6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

658 1890

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB

модули RAM

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

модули RAM