RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
52
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2683
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link