RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
62
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.0
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
62
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
1808
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link