RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
66
Около -106% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3726
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link