A-DATA Technology DQVE1908 512MB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 66

Около -128% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.6 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

18.8 1,557.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 29
Скорость чтения, Гб/сек

2,775.5 20.6
Скорость записи, Гб/сек

1,557.9 18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

382 4112

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

модули RAM

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

модули RAM