RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
66
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3083
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link