RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
66
Около -164% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2104
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link