RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
66
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
11.6
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2227
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link