RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
66
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2623
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link