RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
66
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2148
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link