RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
66
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
63
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2543
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link