RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
66
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2497
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link