RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
66
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.0
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
62
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
1808
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link