RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
67
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
36
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
3.6
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
3372
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link