RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Teclast TLD416G26A30 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Teclast TLD416G26A30 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Teclast TLD416G26A30 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
73
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
36
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
5.2
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
2719
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link