RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S 4GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
68
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
6.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
39
Скорость чтения, Гб/сек
6.5
14.3
Скорость записи, Гб/сек
4.7
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1209
2159
AMD R534G1601U1S 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VS1GB533D2 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link