RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
19.3
Скорость записи, Гб/сек
9.2
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
3246
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link