RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S 8GB против Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
33
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
19
33
Скорость чтения, Гб/сек
18.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.3
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3189
2910
AMD R538G1601U2S 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link