RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сравнить
AMD R5S38G1601U2S 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
37
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.2
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2581
2830
AMD R5S38G1601U2S 8GB Сравнения RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link