RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
47
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.2
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
3546
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link